DIN 5032-9:2015 pdf download.Photometry——Part 9: Measurement of the photometric quantities of incoherent emitting semiconductor light sources.
Temperaturmesspunkt (Halbleiterlichtquellen) am Bauteil gekennzeichnete Stelle, die vom Hersteller festgelegt wird und als Messpunkt für die repräsentative Temperatur einer Halbleiterlichtquelle dient Anmerkung 1 zum Begriff: Em Temperaturmesspunkt 1st über einen festen Wärmewiderstand mit der Sperrschicht einer LED (OLED-Stack) verbunden bzw. im Mittel mit den Sperrschichten (Emissionszonen) mehrerer in der LED(OLED)-Lichtquelle kombinierter LEDs oder OLEDs. BEISPIEL Mogliche, vom Hersteller der Halbleiterlichtquelle anzugebende, Temperaturmesspunkte und ihre Bezeichnung sind: R(eferenzpunkt): Vom Hersteller angegebener Referenzpunkt einer speziflzierten Umgebung der Halbleiterlichtquelle, der im Speziellen von einem der nachfolgend aufgeführten Punkte gegeben sein kann. S(older point): Lotpunkt; wird vorwiegend bei SMT-Bauteilen angegeben, und entspricht in der Regel einem elektrischen und mechanischen Anschluss. A(mbient): Umgebung der Halbleiterlichtquelle, mit natürlicher Konvektion; ohne weitere Angabe 1st Luft als Umgebung anzunehmen.
C(ase): Vom Hersteller angegebene Fläche auf der AuBenseite der Halbleiterlichtquelle (bzw. ihrem Gehäuse) mit mäglichst geringem Abstand zum Haibleiterchip. Beispiel: Wärmesenke (en: heat sink). B(oard): Messpunkt im Schnittpunkt der mechanischen Achse mit der Rückseite der Halbleiterlichtquelle, die z. B. durch eine Leiterplatte (en: Printed Circuit Board, PCB) gebildet wird. M(oving) A(ir): Umgebung der Halbleiterlichtquelle mit künstlicher Konvektion (z. B. Luftung); ohne weitere Angabe ist Luft als Umgebung anzunehmen.Anmerkung 2 zum Begriff: Gleichung (6) ist nur im thermischen Gleichgewicht gUltig (z. B. im Dauerbetrieb nach thermischer Stabilisierung) und der Referenzpunkt muss so gewahlt sein, dass seine Temperatur durch Messung bestimmt werden kann. Anmerkung 3 zum Begriff: In Abhängigkeit von der Lage des Referenzpunktes kann der Wärmewiderstand RthJR zwischen dem PN-Ubergang und dem Referenzpunkt durch die Summe mehrerer Einzelwärmewiderstände gegeben sein. Anmerkung 4 zum Begriff: Der gesamte Wärmewiderstand RthJA wird erst durch die Anwendung definiert. Bei Modulen, Lampen oder Leuchten sind zusätzlich zum Wärmewiderstand der LED weitere Wärmewiderstände vorhanden, z. B. zwischen dem Temperaturmesspunkt elner LED und der Umgebung der Lampe, in der sie verbaut 1st. Diese zusätzlichen Beiträge zum gesamten Wärmewiderstand sind dann in Rthp.j enthalten. Anmerkung 5 zum Begriff: Bei bekanntem Temperaturkoeffizienten z. B. der Spannung des LED-Chips bzw. des OLED-Stacks kann die Anderung der Temperatur des PN-Ubergangs aus der temperaturbedingten Anderung seiner
Durchlassspannung berech net werden. Anmerkung 6 zum Begriff: Die Aussagen gelten sinngemäB auch für OLED-Stacks. Anmerkung 7 zum Begriff: Thermische Widerstände, die sich auf die elektrische Leistung Pel beziehen, werden gema1 JESD51-14 und JESD51-51 als ,,elektrische Wärmewiderstände” bezeichnet (Bsp: RthJRI). Der Wert eines elektrischen Wärmewiderstands hängt von der Effizienz der Halbleiterlichtquelle ab; der (reale) Wärmewiderstand ist von der Effizienz der Lichtquelle unabhängig.DIN 5032-9 pdf download.